IRF540 Kênh N
IRF540 Kênh N
- Hàng trong kho: 410
- Nhà sản xuất: Nhập khẩu
- Khối lượng: 0.10kg
- Mã kho: 266
- Vị trí: 5B
Số lượng đã bán: 798
Lượt xem: 518
8.640đ
Giá chưa bao gồm VAT: 8.000đ
1. Giới thiệu tổng quan
Mosfet IRF540 Kênh N là linh kiện bán dẫn công suất cao, ứng dụng rộng rãi trong các mạch điều khiển động cơ, nguồn xung và mạch chuyển mạch điện tử. Sản phẩm nổi bật với khả năng chịu dòng điện trung bình lên đến 23A và điện áp đánh thủng 100V, đảm bảo hoạt động bền bỉ và hiệu quả.
2. Thông số kỹ thuật
- Model: IRF540
- Loại linh kiện: Mosfet kênh N (mosfet ngược)
- Điện áp đánh thủng (Vds): 100V
- Điện áp cổng (Vgs): +/-20V
- Dòng chịu đựng trung bình (Id): 23A
- Công suất tiêu tán (Pd): 100W
- Nhiệt độ hoạt động: -55 °C ~ 150 °C
3. Ứng dụng
- Mạch điều khiển tốc độ động cơ DC (PWM)
- Mạch nguồn xung (SMPS), bộ nghịch lưu (inverter)
- Mạch điều khiển relay, van điện từ và các thiết bị công suất cao
- Mạch khuếch đại âm thanh và các ứng dụng chuyển mạch nhanh
4. Hướng dẫn kiểm tra (Test)
Các bước kiểm tra nhanh:
- Chuẩn bị: Sử dụng đồng hồ vạn năng số (DMM) ở chế độ đo đi-ốt (diode test) và nguồn điện áp thấp khoảng 9V-12V kèm tải nhỏ (như bóng đèn 12V).
- Thao tác: Xả điện các chân Mosfet. Đặt que đen vào chân Drain (D), que đỏ vào chân Source (S) để kiểm tra diode nội. Kích mở chân Gate (G) bằng cực dương nguồn để kiểm tra khả năng dẫn dòng qua D-S.
- Kết quả: Mosfet hoạt động tốt khi diode thông theo đúng chiều thuận, chân G cách ly tốt với D và S, đóng/mở tải nhạy khi có điện áp kích thích.
* Lưu ý an toàn: Lắp tản nhiệt đầy đủ khi vận hành ở công suất cao để tránh quá nhiệt làm hỏng linh kiện. Tránh chạm chập chân Gate với điện áp tĩnh điện cao gây thủng lớp oxit cách điện.
mosfet irf540 kenh n
