IRF630 Kênh N

Thông số kỹ thuật:

• Loại transistor: Kênh N
• Điện áp tối đa từ cực máng đến cực nguồn: 200V
• Điện áp tối đa từ cực cổng đến cực nguồn: ± 20V
• Dòng cực máng tối đa liên tục: 9A
• Dòng cực máng tối đa xung: 36A
• Công suất tiêu tán tối đa: 75W
• Điện áp ngưỡng cực cổng tối thiểu: 2V đến 4V
• Nhiệt độ lưu trữ và hoạt động tối đa: -55 đến +150 độ C.

irf630 kenh n