FQPF10N60C Kênh N
FQPF10N60C Kênh N
- Hàng trong kho: 175
- Nhà sản xuất: Nhập khẩu
- Khối lượng: 0.10kg
- Mã kho: 1764
- Vị trí: 5B
Số lượng đã bán: 175
Lượt xem: 358
9.720đ
Giá chưa bao gồm VAT: 9.000đ
1. Giới thiệu tổng quan
Transistor FQPF10N60C là một MOSFET Kênh N công suất cao, được thiết kế chuyên dụng cho các ứng dụng chuyển mạch hiệu suất cao. Sản phẩm sở hữu khả năng chịu điện áp ngược lên đến 600V và dòng xả tối đa 9.5A, là lựa chọn lý tưởng cho các mạch nguồn xung và điều khiển động cơ.
2. Thông số kỹ thuật
- Loại thiết kế: FQPF10N60C
- Loại bóng bán dẫn: MOSFET
- Loại kênh điều khiển: N-Kênh
- Công suất tiêu thụ tối đa (Pd): 50 W
- Điện áp nguồn xả tối đa (Vds): 600 V
- Điện áp nguồn cổng tối đa (Vgs): 30 V
- Điện áp ngưỡng cổng tối đa (Vgs(th)): 4 V
- Dòng xả tối đa (Id): 9.5 A
- Nhiệt độ mối nối tối đa (Tj): 150 °C
3. Ứng dụng
- Bộ nguồn chuyển mạch (SMPS)
- Mạch nguồn TV, nguồn máy tính (PC Power Supply)
- Bộ chuyển đổi DC-DC công suất cao
- Mạch điều khiển tốc độ động cơ và biến tần
4. Hướng dẫn kiểm tra (Test)
Các bước kiểm tra nhanh:
- Chuẩn bị: Đồng hồ vạn năng số (DMM) ở chế độ đo diode.
- Thao tác: Xả tĩnh điện các chân MOSFET. Đặt que đen vào chân Drain (D), que đỏ vào chân Source (S), đồng hồ hiển thị điện áp diode body. Kích hoạt chân Gate (G) bằng que đỏ rồi chuyển về Drain (D) để kiểm tra hiện tượng dẫn dòng, sau đó xả chân G để ngắt.
- Kết quả: MOSFET hoạt động tốt khi đóng/ngặt mạch dẫn thông qua điện áp chân Gate và không bị chập giữa các chân D-S, G-D, G-S.
* Lưu ý an toàn: Cần lắp tấm tản nhiệt phù hợp khi hoạt động ở công suất cao. Tránh chạm tay trực tiếp vào chân linh kiện khi thử nghiệm với điện áp cao để phòng ngừa điện giật và phóng tĩnh điện (ESD) gây hỏng cấu trúc cổng.
fqpf10n60c
