Tìm Kiếm

THÔNG SỐ KỸ THUẬTMã linh kiện: 60T65PESThuộc tính: IGBT N-CH – TO-247Dòng điện: 60AĐiện áp: 650VCông suất: 428WNhiệt độ: -40~175..

Thông số kỹ thuật:Loại thiết kế: FQPF10N60CLoại bóng bán dẫn: MOSFETLoại kênh điều khiển: N-KênhCông suất tiêu thụ tối đa (Pd): 50 WĐiện áp nguồn xả tối đa | Vds |: 600 VĐiện áp nguồn cổng tối đa | Vgs |: 30 VĐiện áp ngưỡng cổng tối đa | Vgs (th) |: 4 VDòng xả tối đa | Id |: 9.5 ANhiệt độ mối nối tố..

Thông số kỹ thuật:        Điện áp đánh thủng: 600V.        Điện áp VGS = +/-30V        Dòng chịu đựng trung bình: 4A.        Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 15..

Thông số kỹ thuật: Điện áp đánh thủng là 55V. Điện áp VGS = +/-20V Dòng chịu đựng trung bình là 110A. Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 175oC. Công suất: 200W Mosfet IRF3205 là mosfet kênh N hay mosfet ngược. Mosfet IRF3205 là Transistor hiệu ứng trường,&n..

Thông số kỹ thuật: MOSFET - kênh PCông suất tiêu thụ tối đa (Pd): 150 WĐiện áp nguồn xả tối đa | Vds |: 55 VĐiện áp nguồn cổng tối đa | Vgs |: 10 VDòng xả tối đa | Id |: 64 ANhiệt độ mối nối tối đa (Tj): 150 ° C..

Thông số kỹ thuật:Điện áp đánh thủng: 100V.Điện áp VGS = +/-20VDòng chịu đựng trung bình: 23A.Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 150oC.Công suất: 100WMosfet IRF540 là mosfet kênh N hay mosfet ngượcirf540..

Thông số kỹ thuật:Loại transistor: Kênh NĐiện áp tối đa từ cực máng đến cực nguồn: 200VĐiện áp tối đa từ cực cổng đến cực nguồn: ± 20VDòng cực máng tối đa liên tục: 9ADòng cực máng tối đa xung: 36ACông suất tiêu tán tối đa: 75WĐiện áp ngưỡng cực cổng tối thiểu: 2V đến 4VNhiệt độ lưu trữ và hoạt động..

Thông số kỹ thuật:Điện áp đánh thủng: 100V.Điện áp VGS = +/-20VDòng chịu đựng trung bình: 19A.Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 175oC.Công suất: 150WMosfet IRF9540 là mosfet kênh P hay mosfet thuận.irf9540..

Thông số kỹ thuật:               Điện áp tối đa: 55V               Dòng chịu đựng trung bình là 49A.               Kênh ..

K30A - MOSFETk30a..

Giới thiệu:Mạch sử dụng đầu ra 2 mosfet, nội trở thấp, dòng điện cao, công suất mạnh, có thể đạt được 15A – 400W tải thuần trở, đáp ứng hầu hết nhu cầu của các thiết bị.Mạch công suất mosfet D4184 PWM có hỗ trợ PWM, thích hợp nghiên cứu ứng dụng điều khiển thiết bị công suất cao, động cơ DC, l..

Thông số kỹ thuậtCách ly tín hiệu điều khiển với công suất bằng optoSố kênh: 4Điện áp kích: 3V ~ 20VDòng kích 1 kênh: 5mAĐiện điều khiển đầu ra: 5-36VDòng tối đa mỗi kênh: 20A, trên 5A cần thêm tản nhiệtFET sử dụng: F5305S Kích thước: 80x65x16 mm (dài x rộng x cao)Trọng lượng: 55gmach dieu khie..