G60N100BNTD IGBT TO-3P 1000V 60A

Thẻ: g60n100bntd , g60n100bntd igbt , igbt 1000v 60a , igbt 1000v 60a , g60n100bntd to-3p , linh kien igbt , linh kiện igbt , transistor công suất lớn , 5B

Hàng trong kho: 97
Nhà sản xuất: Nhập khẩu
Khối lượng: 0.10kg
Mã kho: 2135
Vị trí: 5B

Số lượng đã bán: 52

1 đánh giá - Viết đánh giá

77.760đ

Giá chưa bao gồm VAT: 72.000đ

Số lượng

Thêm vào giỏ

Mô tả sản phẩm
Đánh giá

1. Giới thiệu tổng quan

Linh kiện G60N100BNTD IGBT TO-3P là một Transistor lưỡng cực cổng cách ly hiệu suất cao, chuyên dùng trong các hệ thống điện công suất lớn. Sản phẩm sở hữu khả năng chịu đựng điện áp cao 1000V và dòng điện 60A, mang lại sự ổn định và độ bền vượt trội cho các mạch chuyển mạch tần số cao.

2. Thông số kỹ thuật

Mã linh kiện: G60N100BNTD
Loại linh kiện: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Kiểu chân: TO-3P
Điện áp chịu đựng (Vces): 1000V
Dòng điện định mức (Ic): 60A

3. Ứng dụng

Mạch nghịch lưu (Inverter) trong biến tần công nghiệp và năng lượng mặt trời
Bộ nguồn chuyển mạch công suất lớn (SMPS)
Mạch điều khiển động cơ AC/DC
Hệ thống hàn điện tử và bếp từ công nghiệp

4. Hướng dẫn kiểm tra (Test)

Các bước kiểm tra nhanh:

Chuẩn bị: Sử dụng đồng hồ vạn năng số (DMM) có chế độ kiểm tra diode.
Thao tác: Xác định 3 chân: Gate (G), Collector (C), Emitter (E). Kiểm tra thông mạch giữa C và E (phải cách điện ở cả hai chiều khi chưa kích hoạt). Kích thích chân G bằng cách chạm que dương vào G và que âm vào E, sau đó đo lại C-E để kiểm tra trạng thái dẫn điện.
Kết quả: IGBT hoạt động tốt khi các chuyển mạch đóng/mở chính xác theo điện áp kích thích ở chân Gate và không bị chập (short) giữa các chân.

* Lưu ý an toàn: Xả tụ điện hoàn toàn trước khi đo đạc trên mạch thực tế. Tránh phóng tĩnh điện (ESD) trực tiếp vào chân Gate để không làm hỏng lớp cách điện.

g60n100bntd igbt to-3p 1000v 60a