G60N100BNTD IGBT TO-3P 1000V 60A
G60N100BNTD IGBT TO-3P 1000V 60A
- Hàng trong kho: 100
- Nhà sản xuất: Nhập khẩu
- Khối lượng: 0.10kg
- Mã kho: 2135
- Vị trí: 5B
Số lượng đã bán: 49
Lượt xem: 2265
77.760đ
Giá chưa bao gồm VAT: 72.000đ
Hàng trong kho: 100
THÔNG SỐ KỸ THUẬTMã linh kiện: G60N100BNTD Dòng điện: 60AĐiện áp: 1000V..
77.760đ
Giá chưa bao gồm VAT:72.000đ
Hàng trong kho: 181
Thông số kỹ thuật:Loại thiết kế: FQPF10N60CLoại bóng bán dẫn: MOSFETLoại kênh điều khiển: N-KênhCông suất tiêu thụ tối đa (Pd): 50 WĐiện áp nguồn xả t..
9.720đ
Giá chưa bao gồm VAT:9.000đ
Hàng trong kho: 16
Thông số kỹ thuật: Điện áp đánh thủng: 600V. Điện áp VGS = +/..
5.400đ
Giá chưa bao gồm VAT:5.000đ
Hàng trong kho: 252
Thông số kỹ thuật: Điện áp đánh thủng là 55V. Điện áp VGS = +/-20V Dòng chịu đựng trung bình là 110A. Nhiệt độ hoạt động: -55..
16.200đ
Giá chưa bao gồm VAT:15.000đ
Hàng trong kho: 462
Thông số kỹ thuật:Điện áp đánh thủng: 100V.Điện áp VGS = +/-20VDòng chịu đựng trung bình: 23A.Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 150oC.Công suất: 100WMo..
8.640đ
Giá chưa bao gồm VAT:8.000đ
Hàng trong kho: 97
Thông số kỹ thuật:Loại transistor: Kênh NĐiện áp tối đa từ cực máng đến cực nguồn: 200VĐiện áp tối đa từ cực cổng đến cực nguồn: ± 20VDòng cực máng tố..
6.480đ
Giá chưa bao gồm VAT:6.000đ
Hàng trong kho: 76
Thông số kỹ thuật:Điện áp đánh thủng: 100V.Điện áp VGS = +/-20VDòng chịu đựng trung bình: 19A.Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 175oC.Công suất: 150WMo..
16.200đ
Giá chưa bao gồm VAT:15.000đ
Hàng trong kho: 199
Thông số kỹ thuật: Điện áp tối đa: 55V &nb..
17.280đ
Giá chưa bao gồm VAT:16.000đ
