FQPF4N60C TO-220 Mosfet 4A-600V kênh N
FQPF4N60C TO-220 Mosfet 4A-600V kênh N
- Hàng trong kho: 23
- Nhà sản xuất: Nhập khẩu
- Khối lượng: 0.10kg
- Mã kho: 1766
- Vị trí: 5B
Số lượng đã bán: 27
Lượt xem: 2107
5.000đ
Hàng trong kho: 23
Thông số kỹ thuật: Điện áp đánh thủng: 600V. Điện áp VGS = +/..
5.000đ
Hàng trong kho: 35
THÔNG SỐ KỸ THUẬTMã linh kiện: 60T65PESThuộc tính: IGBT N-CH – TO-247Dòng điện: 60AĐiện áp: 650VCông suất: 428WNhiệt độ: -40~175..
45.000đ
Hàng trong kho: 46
Thông số kỹ thuật:Loại thiết kế: FQPF10N60CLoại bóng bán dẫn: MOSFETLoại kênh điều khiển: N-KênhCông suất tiêu thụ tối đa (Pd): 50 WĐiện áp nguồn xả t..
8.000đ
Hàng trong kho: 136
Thông số kỹ thuật: Điện áp đánh thủng là 55V. Điện áp VGS = +/-20V Dòng chịu đựng trung bình là 110A. Nhiệt độ hoạt động: -55..
15.000đ
Hàng trong kho: 69
Thông số kỹ thuật: MOSFET - kênh PCông suất tiêu thụ tối đa (Pd): 150 WĐiện áp nguồn xả tối đa | Vds |: 55 VĐiện áp nguồn cổng tối đa | Vgs |: 10..
6.000đ
Hàng trong kho: 129
Thông số kỹ thuật:Điện áp đánh thủng: 100V.Điện áp VGS = +/-20VDòng chịu đựng trung bình: 23A.Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 150oC.Công suất: 100WMo..
8.000đ
Hàng trong kho: 113
Thông số kỹ thuật:Loại transistor: Kênh NĐiện áp tối đa từ cực máng đến cực nguồn: 200VĐiện áp tối đa từ cực cổng đến cực nguồn: ± 20VDòng cực máng tố..
6.000đ
Hàng trong kho: 103
Thông số kỹ thuật:Điện áp đánh thủng: 100V.Điện áp VGS = +/-20VDòng chịu đựng trung bình: 19A.Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 175oC.Công suất: 150WMo..
15.000đ
